高端 EUV 光刻机对半导体制造具备纳米级超高精度要求。为稳定保障光刻制程精度，光路组件需具备极低热膨胀系数，并结合高效温控系统、优化结构设计与超精密加工工艺，最大程度削弱热应变对光路系统、光学元件造成的扰动。在纳米级制造工况中，细微热形变即可产生显著精度误差，因此行业对光路结构件的热膨胀、热应变指标设立了严苛规范。
光刻机光路组件支撑结构
人工智能、第五代移动通信、物联网、新能源汽车等新兴产业加速发展，持续提升高端芯片的性能与制程需求，驱动光刻机核心技术持续创新。为突破高端光刻装备技术壁垒、实现核心技术自主可控，我国持续推进光刻机国产化研发，集中力量攻克关键技术难题。放眼全球，各国相继落地专项扶持政策与产业资金，支撑光刻装备技术研发与产业化进程，推动半导体制程向 3nm 及以下先进工艺拓展。
Stewart 六足并联支撑结构（半导体光刻、精密仪器领域核心精密构型）
采用零膨胀材料制备光刻机光路组件支架，凭借材料优异的宽温域近零膨胀特性，能够有效抑制温度波动诱发的结构微形变，长期保持反射镜支撑系统高精度位姿稳定，显著提升光刻机整机运行可靠性与纳米级光刻成像精度。
